Ultra-high-speed Electronic Devices V Moskaliuk, V Timofeev, A Fedyay Saarbrucken, Germany: LAP LAMBERT 1, 232, 2014 | 15 | 2014 |
Simplified analytical model of resonant-tunneling diode V Moskalyuk, A Fediai Electronics Technology, 2009. ISSE 2009. 32nd International Spring Seminar …, 2009 | 13 | 2009 |
Физические основы электронной техники: Учеб. пособие для вузов СМ Герасимов, МВ Белоус, ВА Москалюк Вища школа, 1981 | 13 | 1981 |
Перспективные наноструктуры и нанокомпоненты электроники ВА Москалюк, ВИ Тимофеев Электроника и связь 2, 18-19, 2000 | 8 | 2000 |
Фізика електронних процесів ВО Москалюк, ВІ Тимофєєв, ТА Саурова КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020 | 7 | 2020 |
Фізика електронних процесів. Динамічні процеси ВО Москалюк Київ:“Політехніка, 2004 | 7 | 2004 |
Conductance Cutoff of A3B5 Nitrides at High-Frequency Region K Kulikov, I Baida, V Moskaliuk, V Timofeyev 2018 IEEE 38th International Conference on Electronics and Nanotechnology …, 2018 | 6 | 2018 |
Надшвидкодіючі прилади електроніки В Москалюк, В Тимофєєв, А Федяй Київ НТУУ "КПІ", 2014 | 6 | 2014 |
Alloy scattering relaxation time simulation I Baida, V Moskaliuk 2017 International Conference on Information and Telecommunication …, 2017 | 5 | 2017 |
Simulation of defects in one-dimensional photonic crystal V Moskaliuk, Y Tsyba 2017 IEEE 37th International Conference on Electronics and Nanotechnology …, 2017 | 5 | 2017 |
Compact models of the double-barrier resonant tunneling diode V Moskaliuk, T Saurova 2015 IEEE 35th International Conference on Electronics and Nanotechnology …, 2015 | 5 | 2015 |
Сверхбыстродействующие приборы электроники ВА Москалюк, ВИ Тимофеев, АВ Федяй | 5 | 2012 |
Высокочастотные параметры нитрида галлия МВА Куликов MS Техника и приборы СВЧ, 48-52, 2008 | 5 | 2008 |
Прикладна програма для моделювання переносу заряду в квантово-розмірних гетероструктурах з графічним інтерфейсом користувача ВО Москалюк, АВ Федяй, ОЮ Ярошенко Електроніка та Зв'язок 16 (1), 48-53, 2011 | 4 | 2011 |
Simulation of transverse electron transport in resonant tunneling diode V Moskaliuk, Timofeev, V., A Fediai 33rd International Spring Seminar on Electronics Technology: Polymer …, 2010 | 4 | 2010 |
Pyrotransistor-GaAs FET with a" pyroelectric wafer" gate YM Poplavko, VA Moskalyuk, AI Timofeyev, YV Prokopenko Proceedings of 1994 IEEE International Symposium on Applications of …, 1994 | 4 | 1994 |
Modeling the dynamic properties of III-nitrides in strong electric fields VT K.Kulikov , V Moskaliuk Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. ISSN 1729-3774 109 (1 …, 2021 | 3* | 2021 |
Occupation of the valleys in multivalley semiconductors I Bayda, V Moskaliuk 2015 IEEE 35th International Conference on Electronics and Nanotechnology …, 2015 | 3 | 2015 |
Ballistic transport in threenitrids K Bol, V Moskaliuk 2014 IEEE 34th International Scientific Conference on Electronics and …, 2014 | 3 | 2014 |
Modeling of artifacts at the current-voltage characteristics of the resonant tunneling diode VA Moskaliuk, AV Fedyay 2011 21st International Crimean Conference" Microwave & Telecommunication …, 2011 | 3 | 2011 |