Identification of intrinsic deep level defects responsible for electret behavior in TlGaSe 2 layered semiconductor MHY Seyidov, FA Mikailzade, T Uzun, AP Odrinsky, E Yakar, VB Aliyeva, ...
Physica B: Condensed Matter 483, 82-89, 2016
19 2016 Carrier trapping and recombination in TlGaSe2 layered crystals V Grivickas, A Odrinski, V Bikbajevas, K Gulbinas
physica status solidi (b) 250 (1), 160-168, 2013
18 2013 Photoinduced Current Transient Spectroscopy of TlInS2 Layered Crystals Doped with Er, B, and Tb Impurities MHY Seyidov, RA Suleymanov, AP Odrinsky, AI Nadjafov, TG Mammadov, ...
Japanese Journal of Applied Physics 50 (5), 05FC08, 2011
18 2011 Characterization of deep level defects and thermally stimulated depolarization phenomena in La-doped TlInS2 layered semiconductor MHY Seyidov, RA Suleymanov, FA Mikailzade, EO Kargın, AP Odrinsky
Journal of Applied Physics 117 (22), 224104, 2015
17 2015 Pyroelectric properties and structural defects of a layered TlInS2 crystal doped with lanthanum MHY Seyidov, AP Odrinskii, RA Suleymanov, E Acar, TG Mammadov, ...
Physics of the Solid State 56 (10), 2028-2034, 2014
14 2014 Photoelectric activity of structural defects of a single crystal of the ferroelectric-semiconductor TlInS2: La AP Odrinskii, TG Mammadov, MHY Seyidov, VB Alieva
Physics of the Solid State 56 (8), 1605-1609, 2014
13 2014 A critical analysis of investigation of deep levels in high-resistivity CdS single crystals by photoelectric transient spectroscopy AP Odrinskii
Semiconductors 38 (3), 298-303, 2004
12 2004 Contactless Spectroscopy of deep levels in semiconducting materials: GaAs I Davydov, O Ivanov, D Svircov, G Georgiev, A Odrinsky, V Pustovoit
Spectroscopy Letters 27 (10), 1281-1288, 1994
12 1994 Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии АП Одринский
Физика и техника полупроводников 39 (6), 660-666, 2005
11 2005 Фотоэлектрическая активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2: La. АП Одринский, ТГ Мамедов, MHY Seyidov, ВБ Алиева
Физика твердого тела 56 (8), 1554-1558, 2014
9 2014 Разработка экспериментальной методики релаксационной спектроскопии фотоиндуцированных токов ИА Давыдов, АП Одринский
РЖ: Электроника 11, 4, 1990
9 1990 Photoelectric activity of defects in La-doped layered TlInS2 crystals MHY Seyidov, RA Suleymanov, E Acar, AP Odrinsky, TG Mammadov, ...
Low Temperature Physics 40 (9), 830-836, 2014
7 2014 Photo-induced current transient spectroscopy of the ferroelectric-semiconductor TlGaSe2 AP Odrinskii
Physics of the Solid State 56 (2), 335-340, 2014
7 2014 Пироэлектрические свойства и дефекты структуры слоистого кристалла TlInS2, легированного лантаном MHY Seyidov, АП Одринский, RA Suleymanov, E Acar, ТГ Мамедов, ...
Физика твердого тела 56 (10), 1964-1969, 2014
7 2014 Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe АП Одринский, ТГ Мамедов, ВБ Алиева
Физика твердого тела 59 (3), 447-452, 2017
6 2017 Effect of deep native defects on ultrasound propagation in TlInS 2 layered crystal MHY Seyidov, RA Suleymanov, AP Odrinsky, C Kırbaş
Physica B: Condensed Matter 497, 86-92, 2016
6 2016 Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия сегнетоэлектрика− полупроводника TlGaSe2 АП Одринский
Физика твердого тела 56 (2), 331-336, 2014
6 2014 Photovoltaic currents and activity of structural defects in a ferroelectric–semiconductor TlInS2: La single crystal AP Odrinskii, MHY Seyidov, RA Suleymanov, TG Mammadov, VB Aliyeva
Physics of the Solid State 58 (4), 716-722, 2016
5 2016 Investigation of defects in Cu (In, Ga)(S, Se) 2 films using the photocurrent decay technique A Saad, A Odrinski, M Tivanov, N Drozdov, A Fedotov, V Gremenok, ...
Journal of Materials Science: Materials in Electronics 19 (1), 371-374, 2008
5 2008 Аппаратно-программный комплекс для исследования высокоомных полупроводников методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии АП Одринский
Матер. V-й Междунар. конф.«Проблемы проектирования и производства …, 2008
5 2008 
T.G. Mamedov T.G. Mammadov...Institute of Physics, National Academy of Sciences of AzerbaijanVerified email at physics.science.az
